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1.如何提高科技成果的转化能力？

　　一是激发创新主体科技成果转移转化积极性。科研人员积极性不高，是导致我国科技成果转移转化率偏低的根本原因，金智创新认为，要想有效的提升科技成果转移转化效率，需要积极探索有效的奖励机制与模式，支持企业与高校、科研院所构建产业技术创新联盟、新型研发机构等协同开展成果转化。推动成果转化与创新创业互动融合，
二是重视科技成果转移中间机构。一般来说科技成果转移转化主要由三方组成，一是由科研机构提供前沿科技成果，二是有技术需求的企业提供技术支持，但是科研机构和企业之间信息不对等，无法高校的沟通，这个时候就需要重视科技成果转移中间机构的，充分发挥其沟通协同的作用。让企业和高校能够各取所需，提高各自的工作效率。
三是开展科技成果信息汇交与发布。围绕新一代信息网络、智能绿色制造等重点产业领域，以国家财政科技计划成果和科技奖励成果为重点，发布一批能够促进产业转型升级、投资规模与产业带动作用大的重大科技成果包，探索市场化的科技成果产业化路径。

2.如何提高能源转换为电力的效率

　　电力是将一次能源转换成二次能源的产业，既如此就有个转换效率。转化效率η=输出的能量/输入的能量，输出的电力以千瓦时表示，1千瓦时相当于0.1229千克标准煤，输入的能量对燃煤电厂来说就是供电煤耗，于是燃煤电厂的转换效率η煤=0.1229/供电煤耗，以2012年为例全国燃煤电厂供电煤耗为326克/千瓦时，煤电转换效率η=122.9/326=37.7%，而2002年煤电转换效率为32.09%，十年间转换效率提高了近5.7个百分点。未来6年转换效率还能提高多少？取决于供电煤耗的走势，按年降低3克/千瓦时考虑，2020年供电煤耗为302克/千瓦时，煤电转换效率为40.69%。
 
 水电发电的能量来自水量Q和水头H，由于水库的水位变化各不相同，因而各电厂的单位水耗是有差异的，例如广西岩滩水电站2012年单位水耗6.59立方米/千瓦时，而甘肃刘家峡水电站则为3.985立方米/千瓦时。为了从宏观上把握我国水电水能转化为电力的效率，有必要统计计算我国某一规模以上大中型水电站的单位耗水率，加以加权平均从而得出全国大中型水电站的综合平均耗水率。过去这一指标的统计分析工作深度不够，在进入“十三五”的时候应当把降低耗水率作为水电提效的一个方面，提出任务，纳入规划。
 
 再如核电，发出的是电力，消耗的是核燃料，一年中的发电量除以耗用的核燃料重量得出核电站的燃耗，例如一座百万千瓦级核电，年发电60亿千瓦时，所需核燃料20吨，则燃耗为20吨/[(1-厂用电率%)×60亿千瓦时]=3.5克/兆瓦时，同样的需要对全国的核电站统计其燃耗，然后进行加权平均，可以得出全国核电的平均燃耗，这样一是各厂之间可资比较。二是可以总体上衡量我国核电机组的转换效率，在“十三五”期间应当给出燃耗的控制目标。
 
 关于风电和太阳能光伏发电的转换效率，这两类可再生能源发电刚刚起步，应当做好基础研究，“十三五”暂不提出效率目标，但应作为研究任务提出指标体系和统计考核方法。

3.如何提高PA的转换效率

　　在向着4G手机发展的过程中，便携式系统设计工程师将面临的最大挑战是支持现有的多种移动通信标准，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA，与此同时，要要支持100Mb/s～1Gb/s的数据率以及支持OFDMA调制、支持MIMO天线技术，乃至支持VoWLAN的组网，因此，在射频信号链设计的过程中，如何降低射频功率放大器的功耗及提升效率成为了半导体行业的竞争焦点之一。目前行业发展呈现三条技术路线，本文就这三条技术路线进行简要的比较。
 利用超CMOS工艺，从提高集成度来间接提升PA效率
 UltraCMOS采用了SOI技术，在绝缘的蓝宝石基片上淀积了一层很薄的硅。类似CMOS，UltraCMOS能够提供低功耗，较好的可制造性、可重复性以及可升级性，是一种易用的工艺，支持IP块的复用和更高的集成度。
 与CMOS不同的是，UltraCMOS能够提供与在手机、射频和微波应用领域普遍使用的GaAs 或SiGe技术相媲美甚至更好的性能。尽管UltraCMOS和pHEMT GaAs都能提供相同级别的小信号性能并具有相当的网格通态电阻，但是，UltraCMOS能够提供比GaAs或SiGe更优异的线性度和防静电放电 (ESD)性能。
 对于更复杂的应用，如最新的多模式、多频带手机，选择合适的工艺技术更为关键。例如，在这些应用中，天线必须能够覆盖800～2200MHz的频段，开关必须能管理多达8路的大功率射频信号，同时还必须具有低插损、高隔离度、极好的线性度和低功耗。适当的工艺技术能够改善技术选项的可用性，进而改善天线和射频开关的性能，最终改善器件的总体性能。更重要的是，如果工程师在整个设计中采用同一工艺技术，能够获取更高的集成度。
 例如，Peregrine公司在UltraCMOS RFIC方面的最新进展是推出SP6T和SP7T天线开关。这些符合3GPP的开关满足WCDMA和GSM的要求，使得设计工程师可以在兼容 WCDMA/GSM的手机中使用一套射频电路，并且实现业界领先的性能。SP6T和SP7T天线开关采用了Peregrine公司的HaR技术，实现了二次谐波为-85dBc、三次谐波为-83dBc、2.14GHz上的三阶交调失真(IMD3)为-111dBm这样的优异指标。
 在手机设计中两个最耗电的部分就是基带处理器和射频前端。功率放大器(PA)消耗了射频前端中的绝大部分功率。实现低功耗的关键是使射频前端中的其他电路消耗尽可能少的功耗且不影响PA的工作。在目前所用的选择中，带解码器的GaAs开关吸纳的电流为 600μA，但在典型的射频前端应用中，UltraCMOS SP7T开关只吸纳10μA的电流，因此，可以大幅降低射频前端的功耗，从而提高射频功率放大器的效率。
 目前，采用CMOS工艺制造射频功率放大器的公司包括：英飞凌、飞思卡尔、Silicon Labs、Peregrine、Jazz半导体等公司。
 利用InGaP工艺，实现功率放大器的低功耗和高效率
 InGaP HBT(异结双极晶体管)技术的很多优点让它非常适合高频应用。InGaP HBT采用GaAs制成，而GaAs是RF领域用于制造RF IC的最常用的底层材料。原因在于：1. GaAs的电子迁移率比作为CMOS衬底材料的硅要高大约6倍;2. GaAs衬底是半绝缘的，而CMOS中的衬底则是传导性的。电子活迁移率越高，器件的工作频率越高。
 半绝缘的GaAs衬底可以使IC上实现更好的信号绝缘，并采用损耗更低的无源元件。而如果衬底是传导性的话，就无法实现这一优势。在CMOS中，由于衬底具有较高的传导性，很难构建起功能型微波电路元件，例如高Q电感器和低损耗传导线等。这些困难虽然可以在一定程度上得到克服，但必须通过在IC装配中采用各种非标准的制程来能实现，而这会增加CMOS设备的制造成本。
 nGaP特别适合要求相当高功率输出的高频应用。InGaP工艺的改进让产量得到了提高，并带来了更高程度的集成，使芯片可以集成更多功能。这样既简化了系统设计，降低了原材料成本，也节省了板空间。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制电路的多芯片封装。如今，在接收端集成了PA和低噪音放大器(LNA)并结合了RF开关的前端WLAN模块已经可以采用精简型封装。例如，ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工艺可以在同一个InGaP芯片上集成双极晶体管和场效应晶体管。这一技术正被用于尺寸和PAE(功率增加效率)有所改进的新型CDMA和WCDMA功率放大器。
 然而，并非所有消费电子产品的理想选择。例如无线网络和手机市场就被GaAs PA所统治，因为它可以支持高频率和高功率应用，而且效率很高。另一方面，RF CMOS PA则在蓝牙和ZigBee应用领域占据主导地位，因为它一般运行功率更低，而且性能要求没有那么苛刻。
 目前，对于高性能PA应用，GaAs仍然是主要技术，只有它才能满足大部分高端手机和无线网络设备对性能的苛刻要求。在集成度方面，如果要集成进收发器、基带和PA，那么，就需要采用一种新的硅工艺。然而，业界在这方面的趋势是继续让PA和收发器彼此分开，采用不同的封装，并以GaAs来实现这样的集成。
 SiGe有望超越GaAs工艺占据主流
 SiGe BiCMOS 工艺技术几乎与硅半导体超大规模集成电路(VLSI)行业中的所有新工艺技术兼容，包括绝缘体硅(SOI)技术和沟道隔离技术。随着击穿电压和高性能无源部件集成技术的发展，SiGe 正逐渐渗透至传统的GaAs领地—即手机功率放大器应用的领域。
 一般来说，手机功率放大器必须能在高压下应对10:1的电压驻波比(VSWR)，并能发送+28dBm(用于CDMA手机)到+35dBm(用于GSM手机)的信号。为了制造出满足严格的手机技术要求的 SiGe 功率放大器，SiGe 半导体公司采用fT为 30GHz 的主流 SiGe 工艺，着眼于抢占过去由GaAs功率放大器在击穿电压、线性性能、效率以及集成性能上所占有的优势。
 采用SiGe技术的优势之一是提高集成度。设计人员可在功率放大器周围集成更多的控制电路，这样，最终的器件就更加节省空间，从而为集成更多无线功能的提供令了潜力。例如，采用 SiGe技术，设计人员就可以将功率放大器和 RF 电路集成在一起，却不会影响功率放大器的效率，从而延长手机电池的寿命。目前，采用SiGe技术推出射频功率放大器的公司包括：SiGe半导体公司、 Maxim、飞思卡尔、Atmel等公司。利用SiGe BiCMOS制造工艺进行代工的供应商主要是IBM以及台积电(TSMC)。

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