大家好，今天Win10系统之家小编给大家分享「如何查看内存大小」的知识，如果能碰巧解决你现在面临的问题，记得收藏本站或分享给你的好友们哟~，现在开始吧！

1.怎么看内存大小

　　电脑内存怎么看的步骤
 查看电脑内存其实方法很多也非常简单，大家只需要鼠标右键点“我的电脑”图标，选择 -- 属性 -- 常规选项 中就可以看到电脑内存信息了。如下图：
 从中我们可以看出内存最重要的一项性能参数：内存容量，如上图电脑内存的容量是1.87GB，目前内存标配的都是1.87GB，比较够用，容量越大一般来说内存越好，对电脑性能提升越大。如果需要查看电脑内存的详细信息大家可以直接拆开电脑主机机箱，拿出内存条，查看内存条上的铭牌标识，或者看购买内存的说明书。最简单有效的方法是大家可以借用第3方软件查看内存详细信息。
 大家可以使用网上比较受欢迎的第三方软件来查看电脑内存详细参数资料。
 从以上资料中我们可以看出电脑内存的类型是：“DDR2” 主频是：“667MHZ”相对与目前主流2G内存来说该内存比较差。
 从以上资料中我们可以看出电脑内存的品牌是“海力士” 电脑内存的类型是：“DDR2” 主频是：“667MHZ”相对与目前主流2G内存来说该内存比较差。
如何看电脑内存档次怎么样
看电脑内存档次与性能主要看的是内存参数中的，容量，品牌 ，类型，主频等参数。
容量是电脑内存中决定档次与性能中最重要的一项参数之一，一般容量越大内存越好。
类型方面，主要是内存版本了，比如目前主流是DDR3内存，DDR2是以前内存版本，内存版本越高，说明内存是新版本的，相对性能上也更出色。
主频方面，主频越大内存的读取速度也越快，目前主流内存主频是1333MHZ，更高端些达到了1600MHZ，多数使用在4GB或更高容量内存中。
最后需要说明一点，决定电脑内存性能主要取决于以上内存参数，只有各项参数优秀，电脑内存才是真正的好内存，否则一个参数好，另外一个差会形成头重脚轻现象，影响内存整体性能。
END
经验总结：
 相信大家通过以上的内容不当当丰富了自己在硬件方面的知识，还学会了怎么看内存性能的好坏，是不是很有成就感咧！赶紧把这种查看电脑内存大小和判断内存性能好坏的方法分享给你的好友吧！呵呵！

2.怎么查看手机内存大小

　　查看物理内存
1、查看手机的物理内存，就是查看手机的自带内存和SD卡的存储，我们首先打开手机的设置功能，然后在里面可以看到【存储】选项，
2、打开存储选项后，在里面就会看到你手机自带内存、内置内存、SD卡或者TF卡的内存容量了，然后互相进行调整，安装软件。
查看运行内存
1，查看运行内存的方法很简单的，我们同样是打开手机的设置功能，然后在里面找到【应用】这个选项，因为运行内存就是看你运行程序所占的内存，和电脑的内存条一样，
2，打开应用功能后，最下面可以看到一个进度条，这个就代表了你目前运行内存的使用情况，如果占用过多，就关闭一些程序吧。
扩展资料
广义的手机系统内存分为“手机运行内存”及“手机非运行内存”。手机的“运行内存”相当于电脑的内存（或者叫内存条）； 而手机的“非运行内存”，即手机的ROM和硬盘，是机身内部存储器（简称机身内存），相当于电脑的硬盘。手机“运行内存”越大，手机能运行多个程序且流畅；手机“非运行内存”越大，就像硬盘越大，能存放更多的数据。
定义:
手机系统内存是指手机运行程序时使用的内存（即运行内存），只能临时存储数据，用于与CPU交换高速缓存数据，但是随机存储器（RAM）本身不能用于长期存储数据。
而另一个广义的手机系统内存是用来存储东西的内置存储器（通常被简称成了“内存”），即机身内存，安卓手机系统占用一部分，其它安装程序也会占用一部分。
就像8G的MP4一样,它拥有8G的存储空间。用电脑比喻的话，手机系统内存就是电脑的内存（内存条）；另一个广义的手机系统内存就是电脑的硬盘(一个只有C盘的单分区硬盘)。
拥有更大的系统内存内存的话手机可以打开更多的程序或者占用更大资源的程序，在手机系统内存足够的情况下并不能提升运行程序的速度，只能说更大的运行内存能更好的保证手机的正常运行。
手机系统内存大的好处：
1、同时运行更多的应用程序
2、更为迅速地运行各个应用程序
3、更加迅捷地切换不同应用程序

3.内存大小怎么看？

　　楼主是要看电脑上的内存大小，还是指的是内存芯片上的颗粒规格？如果是前者，桌面上右击“我的电脑”……属性，然后在常规标签下方框的右下角附近可以看到。
如果是后者，那么每种内存颗粒上面都是编码，每个生产内存颗粒的厂家都不一样，可以参考企业标准文件。同时楼主所说的，4×16＝64M，应该指的是一根内存线路板上集成了四个内存芯片，每个内存芯片的规格是16M，因此这个内存集成线路板（也就是常说的内存条）的总容量是64M。 
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以下为几种常见规格的内存颗粒介绍：
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： 
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

4.如何查看内存条的大小？

　　当你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。 
 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。
 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
 编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
 主要含义：
 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
 第2位——芯片类型4，代表DRAM。
 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
 第11位——连线“-”。
 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
 含义：
 MT——Micron的厂商名称。
 48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
 LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
 A2——内存内核版本号。
 TG——封装方式，TG即TSOP封装。
 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
 实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
 其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒
 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
 -8——表示该内存的工作频率是100MHz。
 例如：
 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
 Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
 容量备注：
 KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
 KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
 KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
 KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
 KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： 
 -7A——PC133 /CL=2；
 -7——PC133 /CL=3；
 -8A——PC100/ CL=2；
 -8——PC100 /CL=3。
 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

5.怎样看内存大小

　　不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号： 
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 
整个DDR 
SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & 
VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 
封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 
封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 
3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR 
SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）
注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的
LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。 
 LGS的内存编码规则：
 GM 72 X XX XX X X X X X XXX
 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
 定义：
 1、GM代表LGS公司。
 2、72代表SDRAM。
 3、V代表3V电压。
 4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
 5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
 6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
 7、I／O界面：一般为1
 8、产品系列：从A至F。
 9、功耗：空白则是普通，L是低功
 10、封装模式：一般为T（TSOP）
 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（现代HYUNDAI）
 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。
 HY的编码规则：
 HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
 定义：
 1、HY代表现代。
 2、一般是57，代表SDRAM。
 3、工艺：空白则是5V，V是3V。
 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
 7、I／O界面：一般为0
 8、产品线：从A－D系列
 9、功率：空白则为普通，L为低功耗。
 10、封装：一般为TC（TSOP）
 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
 做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。
 SEC编码规则：
 KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
 1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
 2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
 3、一般均为S
 4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。
 5、一般均为0
 6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
 7、I／O界面：一般为0
 8、版本号
 9、封装模式：一般为T：TSOP
 10、功耗：F低耗，G普通
 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凯龙）
 美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。
 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
 1、MT代表美凯龙MICRON
 2、48代表SDRAM。
 3、一般为LC：普通SDRAM
 4、此数与M后位数相乘即为容量。
 5、一般为M
 6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
 7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
 8、TG代表TSOP封装模式。
 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
 10、如有L则为低功耗，空白则为普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
 日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
 HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
 1 2 3 4 5 6 7 8 9
 1、HM代表日立。
 2、52代表SDRAM，51则为EDO
 3、容量
 4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
 5、一般为5
 6、产品系列：A－F
 7、功耗：L为低耗，空白则为普通
 8、TT为TSOP封装模式
 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西门子）
 西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。
 HYB39S XX XX 0 X T X －X 
 1 2 3 4 5 6 7 8 9
 1、HYB代表西门子
 2、39S代表SDRAM
 3、容量
 4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
 5、一般为0
 6、产品系列
 7、一般为T
 8、L为低耗，空白为普通
 9、速度：
 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。
 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
 1 2 3 4 5 6 7 8 9
 1、MB81代表富士通的SDRAM
 2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
 3、容量
 4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
 5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
 6、产品系列
 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（东芝）
 东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。
 TC59S XX XX X FT X－XX
 1 2 3 4 5 6 7 8 
 1、TC代表东芝
 2、59S代表普通SDRAM
 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
 4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
 5、产品系列：A－B
 6、FT为TSOP封装模式
 7、空白为普通，L为低功耗
 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
 三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见。
 M2 V XX S X 0 X TP－XX X
 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
 1、M2代表三菱产品
 2、I／O界面。一般为V
 3、容量
 4、一般为S，说明是SDRAM
 5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
 6、一般为0
 7、产品系列
 8、TP代表TSOP封装
 9、速度：
 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
 10、空白为普通，L为低耗。

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