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1.骁龙835好不好 高通835参数一览

　　骁龙835和高通835是一款处理器，一般指高通骁龙处理器。

1、骁龙835(一般指高通骁龙处理器)是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。
2、高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。
3、参数：骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。
4、新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，适配范围更广泛。
5、索尼Xperia XZ Premium成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，小米，一加，努比亚，三星，LG和HTC也已经推出搭载骁龙835的智能手机。

2.高通骁龙835性能怎么样高通骁龙835跑分详细测试

　　2016年11月，Qualcomm（美国高通公司，下文简称高通）联合三星对外宣布，将共同带来全新的骁龙旗舰处理器——骁龙835，虽然官方发布这一消息时已是当天傍晚，但这则新闻仍然是在各个科技网站和社交平台上被刷爆，这也是继骁龙821之后，高通又一款真正意义上的顶级旗舰处理器。
 时隔一个半月之后，高通在CES大会开幕的前一天正式发布骁龙835，随之而来的是一系列芯片相关参数逐个亮相，我们可以看到的是除了性能方面依然爆表之外，骁龙835在工艺制程、5G网络布局以及沉浸式体验上有着颇多亮点，下面我们不妨就来详细说说骁龙835为什么能够引起行业如此高的关注。
“数”读高通
 无论是说起高通还是旗下的骁龙处理器，几乎都已经成为了智能手机品质的代名词，而用户也从最早期对一款产品外观、参数等方面的认识变得更加深入。成立于1985年的高通至今已经经历了30年的技术沉淀，目前已经是全球最大的无晶圆厂半导体公司。
 以高通在技术方面的投入理念来看，将产品和技术研发成功仅仅是作为对行业推进的一个节点， 直到让各个终端厂商和用户真正用起来才是一个结果。来自高通方面的数据统计显示，高通成立至今在研发上的累计投入超过410亿美元，每年都有超过20%收入用于产品和技术上的研发。
 在过去的2016年当中高通共发布了两款旗舰级处理器，分别是年初发布的骁龙820以及年中发布的骁龙821，而不可否认的是一款优秀的移动处理器平台足以对智能手机产业发展带来促进作用，于是我们可以看到在过去的2016年当中，有着例如三星S7、小米MIX、一加3T、锤子M1等叫好又叫座的优秀产品涌现，截止目前已经有200款以上的终端产品已经上市或正在研发当中。
骁龙835解析
 来到2017年，唱主角的自然是这款刚刚发布的骁龙835，不过老实说在之前很多人都认为这次的新旗舰会命名为骁龙830，甚至不少媒体已经在前期的相关内容当中直接称其为骁龙830，不过有句话怎么说，打脸总是难免的，这次高通在处理器命名上玩了一点小心思。
 骁龙835将是首款采用三星10nm FinFET工艺的量产处理器，在此之前的骁龙821采用的是14nm，一度认为在移动芯片平台至少会在14nm这个坎上停留一段时间，谁想下半年各家晶圆代工厂纷纷上马10nm，工艺上的激进突破跟中国手机市场现状真是一样一样的。
 10nm究竟是个什么概念？我们知道在处理器当中有着数以亿计的晶体管，据悉骁龙835和苹果最新的A10 Fusion处理器晶体管都达到了30亿以上。而这个10nm是指晶体管的沟道长度，自然是长度越短体积就越小，从而在同样处理器尺寸的前提下能够放下更多的晶体管来提升性能，或是采用同样的晶体管数量制造出尺寸更小的处理器。
 晶体管数量增多既能带来更高效的任务处理速度，也能达到降低处理器功耗和减少发热的目的。在工艺改进之后，相对于上一代旗舰处理器，骁龙835尺寸减小了35%，并实现了25%的功耗降低（相比骁龙801功耗降低50%），这样的设计也恰好迎合了目前主流产品在机身尺寸和续航上的设计方向。
 整体来看骁龙835的各个组成部分，其集成了采用高通自研架构的Kryo 280八核CPU（大小核主频分别为2.45GHz和1.9GHz）和Hexagon 682 DSP，从而实现了任务处理和性能的提升；Adreno 540 GPU和支持双摄方案以及平滑光学变焦的Spectra 180 ISP则在图形处理和拍照方面带来明显的改进；骁龙X16 LTE调制解调器的应用使骁龙835成为全球首款支持千兆级下行速率的旗舰处理器，此外骁龙835的全新特性还包括Qualcomm Haven安全平台，通过提升生物识别与终端认证，为移动终端设备在安全性上提供支持。
骁龙835不止于性能
 高通官方表示，全新的骁龙835在性能上的提升仅仅是一个方面，相对过去单纯的注重跑分、性能上的表现，此次更新在用户体验部分有更多的闪光点。
 首先是充电，骁龙835带来了全新的高通QC 4充电标准，根据高通的数据显示，和上一代快充技术QC 3.0相比，QC 4可实现高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，使用QC 4充电五分钟将能使用五小时以上。来自高通的测试结果表明，相比QC 3.0，QC 4也会带来更低的发热量，充电的过程中机器的表面温度可以降低5度。
 同时在QC 4快充技术当中集成了对于USB-PD和USB Type-C的支持，这就意味着QC 4在未来将兼容更多的充电技术，基于骁龙QC 4技术的移动终端也可以去主动适配更多的充电器和充电线缆。
 在骁龙835正式到来之后，紧接着高通官方宣布了首款搭载骁龙835的设备，令人意外的是其并不是一款手机产品，而是与ODG联合发布的增强现实智能眼镜，骁龙835在用户体验上的重要改进也体现于此。
 在沉浸式体验上骁龙835将满足VR/AR在性能、散热和能效限制上等各方面需求，同时将支持Google Daydream平台以实现高质量的移动VR体验，带来视觉、声音和交互的性能提升。
 其中包括高达25%的3D图形渲染性能提升，以及通过Adreno 540视觉处理子系统支持的、高达60倍的色彩提升。骁龙835还支持4K Ultra HD premium（HDR10）视频、10位广色域显示、基于对象和基于场景的3D音频，以及出色的、包括基于高通自研的传感器融合技术的六自由度（6DoF）VR/AR 运动追踪。
 而作为首款采用千兆级LTE调制解调器的骁龙835，在网络支持方面足以看出高通在研发上的前瞻性。骁龙X16 LTE调制解调器将为骁龙835带来Cat 16载波聚合，在真实网络下下行平均速率可以到114Mbps，下载一个203分钟的无损音频大概只需要2.4分钟，比Cat 4网络快大约3倍，比Cat 6网络快大约2倍。
 下行速率的提升所带来的直观用户体验体现在前面所提到的VR视频当中以及云计算、娱乐体验以及即使APP应用等方面。而随着多个千兆级LTE网络预计于2017年在全球部署，不久之前高通联合合作伙伴NETGEAR和澳洲电信推出了全球首款千兆级别的移动Wi-Fi产品，澳洲电信也将于几个月之后面向其终端用户公开发售这些产品。
 最后是在拍摄方面，骁龙835所配备的Spectra 180 ISP能够同时支持双摄方案以及平滑的光学变焦，可以预见的是在2017年将会有更多厂商发布采用双摄的产品。高通在骁龙835上推出了统一的全新架构，这个架构可兼容包括平滑变焦和黑白+彩色的拍照算法，也能让OEM方有更灵活的选择。
 在之前EIS 2.0的基础上，骁龙835推出了EIS 3.0电子稳像技术，能够在拍照模式和光学变焦模式下尽可能的抑制画面的抖动，保持拍摄画面稳定。此外从骁龙820开始，高通就已经增加了对2PD对焦方式的支持，在骁龙835也将得到延续，并且未来在技术逐渐成熟之后或许会下放到更多其他系列的处理器。
总结：
 因为篇幅的关系，关于骁龙835还有很多的技术优势无法一一在这里进行深入探讨，但可以肯定的是骁龙835的发布所影响的已经不仅仅是手机行业，今年或许我们也将在更多不同品类的智能设备当中看见骁龙835的身影。而对于终端厂商来说，骁龙835在性能以及用户体验上的提升也将助力于其在2017年带来更加优秀的旗舰产品。

3.骁龙835现在处于什么水平

　　高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。
骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。
快速充电
新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。
Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD的支持，适配范围更广泛

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